AI記憶體商機可期,傳三星擬大幅增產3D DRAM – 新聞

2017-05-31 10:15:05 記者 陳瑞哲 報導專為高效能AI(人工智能)處理器與伺服器打造的3D堆疊DRAM,傳三星計畫增產三十倍。3D DRAM採用矽穿孔(Through Silicon Via)技術,可將DRAM晶片垂直堆疊,由於進出通道加寬,傳輸速度也大幅加快。韓國媒體ETnews引述產業消息報導指出,三星最近向設備供應商訂購新型20台熱壓接合封裝機(TCB),這是矽穿孔技術的必要設備,且按理來說,新機具產出是原有機台的八倍。新TCB機台今年底可就定位,預估屆時三星矽穿孔製程產能將可增加三十倍之多。英特爾與Nvidia現均朝AI積極發展,也都是三星潛在客戶群。除此之外,日前有消息指出蘋果正在開發AI專屬晶片,將用以處理臉部與語音辨識等工作,可應用於iPhone與iPad等裝置,三星顯然已嗅到這股AI記憶體的新商機就在不遠處。*編者按:本文僅供參考之用,並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦,讀者務請運用個人獨立思考能力,自行作出投資決定,如因相關建議招致損失,概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。

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